英特尔详解 Intel 3 工艺:应用更多 EUV 光刻,同功耗频率提升至多 18%
新酷产品第一时间免费试玩,英特应用还有众多优质达人分享独到生活经验,尔详快来新浪众测,工艺更多V光功耗风流英雄体验各领域最前沿、刻同最有趣、频率最好玩的提升产品吧~!下载客户端还能获得专享福利哦!至多 Intel 3 是刻同英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺,相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的频率步骤,也将是提升一个长期提供代工服务的节点家族,包含基础 Intel 3 和三个变体节点。至多 其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压,英特应用适合模拟模块的制造;而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能,并支持更精细的 9μm 间距 TSV 和混合键合。 英特尔宣称,作为其“终极 FinFET 工艺”,Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择,与埃米级工艺节点一同被内外部代工客户使用。 相较于仅包含 240nm 高性能库(HP 库)的 Intel 4 工艺,Intel 3 引入了 210nm 的高密度(HD)库,在晶体管性能取向上提供更多可能。 英特尔表示,其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下,可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。 此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%,实现了“全节点”级别的提升。 而在晶体管上的金属布线层部分,Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项,分别面向低成本和高性能用途。 具体到每个金属层而言,英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距,主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。
- 最近发表
- 随机阅读
-
- 极氪汽车高速 NZP 新开 104 城|累计覆盖 95.35% 用户所在城市
- 绿军官方:明日总决赛G5 波尔津吉斯出战成疑
- 欧洲杯太太团C位争夺战:C罗挚爱——乔治娜
- 乐道L60申报图曝光,此前已开发布会,计划9月正式上市
- 引发不满!大连英博远射未判进球,现场球迷高喊:马宁进监狱
- 雪佛兰探界者Plus中高配车型交付日期揭晓,顶配版紧随其后
- 布朗:东欧是世界上最好的两名球员 我们必须去争夺总冠军
- 米体:67名意大利极端球迷已被释放,将面临被驱逐出境的可能
- 欧洲杯带火义乌,商户:光我们原创的德国球衣就接了4万订单
- 宋翔:中国女篮17日开启海外拉练,将进行多场热身赛
- 荣耀Magic V Flip,巨幕小折叠
- 罗马诺:皇马对卡瓦哈尔的表现感到非常满意,将与他展开续约谈判
- 豪威发布应用于USB3.2高速数据通道的线性再驱动器
- 荣耀 Magic V Flip 手机发布 高通骁龙 8+ Gen1 4999元起
- 巴黎奥运会女排项目12强出炉:中国、意大利、美国、巴西在列
- 乌克兰队公布小组赛首战大名单,米科连科确认伤缺仍入选
- 一加Ace 3 Pro真机渲染图曝光:陶瓷后盖质感拉满
- 琼斯:球迷只是球迷,我们在场上打球时他们什么也做不了
- 广汽埃安总经理古惠南:下半年推出三款产品,会迎来新的销量增长
- 欧洲杯励志典范:12岁开始接触足球,从酒店服务员到为国征战
- 搜索
-